6W 808nm kiip Submount Diode Laseril
Kirjeldus
Omadused
- 6W väljundvõimsus, 808nm kesklainepikkus
- Saadaval ka C-kinnitus, F-kinnitus
- 0,35nm/kraadi lainepikkuse temperatuuri koefitsient
- 100um/200um emitteri laius, kiip submount pakendil
Kasutamine
- Ramani spektroskoopia
- Sõjavägi / lennundus
- Kaitse ja julgeolek
- Kiudlaseriga pumpamise allikas
Tehnilised andmed
Kauba nr:COS808DL6
Kauba nimi: 808nm 6W COS-dioodlaser
| Optiline | |
| Keskmise lainepikkus | 808 nm ± 10 nm |
| Väljundvõimsus | 6W |
| Emitter laius | 200 um |
| FWHM kiire telg | 35Deg |
| FWHM aeglane telg | 10 kraadi |
| Elektriline | |
| Lävivool | 1A |
| Töövool | 7A |
| Tööpinge | 1.65V |
| Termiline | |
| Testi temperatuur | 25 kraadi |
| Säilitamine | -30-70 kraadi |
| Lainepikkuse temperatuuri koefitsient | 0,35 nm / kraad |
Mõõtmed
6W 808nm kiip alamkinnitusega dioodlaseril, kiibi alammoodulid on alam-monteeritud ja neid iseloomustab ülemine, alumine ja külgkinnitus.
Oluline on märkida, et dioodlaser-emitterid on saadaval laiusega 100/200 μm.
Brandnew Laseri pakutavad alam-monteeritud kiibid on tuntud oma erakordselt kompaktsete mõõtmete poolest.
Optimaalse jõudluse tagamiseks tuleb see SMD laserdioodipakett korralikult kiirtelje objektiiviga jahutusradiaatori külge joota.
Võimsa 6 W väljundvõimsusega ja 808 nm kesklainepikkusega laserpakett on saadaval C-kinnituse konfiguratsioonis koos alternatiividega, nagu F-kinnitus.
Lisaks on pakendil lainepikkuse temperatuurikoefitsient 0,35 nm/kraadi ja emitteri laius 100 μm või 200 μm, mis rõhutab selle arenenud tehnoloogia mitmekülgsust.
Kuum tags: 6W 808nm COS Chip On Submount Diode Laser tarnijad, tootjad Hiina, tehas, hulgimüük, valmistatud Hiinas