3W 808nm pooljuhtlaseri kiibi laius on 150μm lai, õõnsuse pikkus on 1mm, fotoelektrilise muundamise efektiivsus on 60% ja kasutusiga võib ulatuda üle 10000 tunni.
Kiip võtab kasutusele uue epitaksiaalse struktuuri kujunduse ja materjali epitaksia, täiustatud mitte-pumba akende kujunduse ja ettevalmistustehnoloogia ning märja ja kuiva söövitamise koos isetasanduva protsessitehnoloogiaga, et kontrollida riba laiuse järjepidevust, eriti kõrge lõpptoote masside tagamiseks tootmine Laseri kiipide maksumuse vähendamiseks.
Samal ajal parandab uue tehnoloogia kasutuselevõtt tunduvalt kõrge temperatuuri vastupanuvõimalusi, et see saaks pidevalt töötada temperatuuril 60 ℃ või kõrgemal.
Kiipi saab rakendada C-MOUNT, TO56, TO3 ja muud tüüpi pakenditele.